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標準封裝集成電路元件 SIZF916DT-T1-GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
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供應商設備封裝 | 8-PowerPair® (6x5) |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V |
功率 - 最大 | 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | 8-PowerWDFN |
其他名稱 | SIZF916DT-T1-GE3TR |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 32 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 22nC @ 10V, 95nC @ 10V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點 | Standard |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 23A (Ta), 40A (Tc) 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5) |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 23A (Ta), 40A (Tc) |