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標準封裝集成電路元件 SIZ980DT-T1-GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.2V @ 250µA |
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供應商設備封裝 | 8-PowerPair® |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V |
功率 - 最大 | 20W, 66W |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | 8-PowerWDFN |
其他名稱 | SIZ980DT-T1-GE3CT |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 32 Weeks |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
FET特點 | Standard |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20W, 66W Surface Mount 8-PowerPair® |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 20A (Tc), 60A (Tc) |