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標準封裝集成電路元件 SIZ926DT-T1-GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.2V @ 250µA |
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供應商設備封裝 | 8-PowerPair® (6x5) |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V |
功率 - 最大 | 20.2W, 40W |
封装 | Original-Reel® |
封裝/箱體 | 8-PowerWDFN |
其他名稱 | SIZ926DT-T1-GE3DKR |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 32 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 19nC @ 10V, 41nC @ 10V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點 | Standard |
漏極至源極電壓(Vdss) | 25V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5) |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 40A (Tc), 60A (Tc) |