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標準封裝集成電路元件 SIZ920DT-T1-GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.5V @ 250µA |
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供應商設備封裝 | 8-PowerPair® (6x5) |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V |
功率 - 最大 | 39W, 100W |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | 8-PowerWDFN |
其他名稱 | SIZ920DT-T1-GE3TR SIZ920DTT1GE3 |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 1260pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 35nC @ 10V |
FET型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特點 | Standard |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 39W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5) |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 40A |
基礎部件號 | SIZ920 |