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標準封裝集成電路元件 C2M0160120D
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.5V @ 500µA |
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Vgs(最大) | +25V, -10V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
供應商設備封裝 | TO-247-3 |
系列 | Z-FET™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 196 mOhm @ 10A, 20V |
功率耗散(最大) | 125W (Tc) |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | TO-247-3 |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 52 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 527pF @ 800V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 32.6nC @ 20V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 20V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 1200V |
詳細說明 | N-Channel 1200V 19A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 19A (Tc) |