有現貨: 52006
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標準封裝集成電路元件 C2M0045170P
VGS(TH)(最大)@標識 | 4V @ 18mA |
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Vgs(最大) | +25V, -10V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
供應商設備封裝 | TO-247-4L |
系列 | C2M™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 59 mOhm @ 50A, 20V |
功率耗散(最大) | 520W (Tc) |
封裝/箱體 | TO-247-4 |
工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | Not Applicable |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 3672pF @ 1000V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 188nC @ 20V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 20V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 1700V |
詳細說明 | N-Channel 1700V 72A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 72A (Tc) |