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標準封裝集成電路元件 CSD19531KCS
VGS(TH)(最大)@標識 | 3.3V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | TO-220-3 |
系列 | NexFET™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 7.7 mOhm @ 60A, 10V |
功率耗散(最大) | 214W (Tc) |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | TO-220-3 |
其他名稱 | 296-37480-5 CSD19531KCS-ND |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 3870pF @ 50V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 38nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 6V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 100V |
詳細說明 | N-Channel 100V 100A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 100A (Ta) |