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標準封裝集成電路元件 2SB815-6-TB-E
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 15V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 80mV @ 10mA, 100mA |
晶體管類型 | PNP |
供應商設備封裝 | 3-CP |
系列 | - |
功率 - 最大 | 200mW |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱 | 2SB815-6-TB-EOSCT |
工作溫度 | 125°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 4 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | 250MHz |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 15V 700mA 250MHz 200mW Surface Mount 3-CP |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 200 @ 50mA, 2V |
電流 - 集電極截止(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 700mA |