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標準封裝集成電路元件 2SB817C-1E
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 140V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 2V @ 500mA, 5A |
晶體管類型 | PNP |
供應商設備封裝 | TO-3P-3L |
系列 | - |
功率 - 最大 | 120W |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | TO-3P-3, SC-65-3 |
其他名稱 | 2SB817C-1E-ND 2SB817C-1EOS |
工作溫度 | 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 2 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | 10MHz |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 12A 10MHz 120W Through Hole TO-3P-3L |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 100 @ 1A, 5V |
電流 - 集電極截止(最大) | 100µA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 12A |