有現貨: 56160
我們的SI3900DV-T1-E3的庫存分銷商非常有競爭力。通過使用快速RFQ表單,請查看SI3900DV-T1-E3最新的PIRCE,庫存和交貨時間。我們對SI3900DV-T1-E3質量和真實性的承諾是堅定不移的,我們已經實施了嚴格的質量檢查和交付過程,以確保SI3900DV-T1-E3的完整性。您還可以在此處找到SI3900DV-T1-E3數據表。
標準封裝集成電路元件 SI3900DV-T1-E3
電壓 - 測試 | - |
---|---|
電壓 - 擊穿 | 6-TSOP |
VGS(TH)(最大)@標識 | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
系列 | TrenchFET® |
RoHS狀態 | Digi-Reel® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 2A |
功率 - 最大 | 830mW |
極化 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
其他名稱 | SI3900DV-T1-E3DKR |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 15 Weeks |
製造商零件編號 | SI3900DV-T1-E3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 4nC @ 4.5V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 1.5V @ 250µA |
FET特點 | 2 N-Channel (Dual) |
展開說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
漏極至源極電壓(Vdss) | Logic Level Gate |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 20V |