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標準封裝集成電路元件 SI3900DV-T1-GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 1.5V @ 250µA |
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供應商設備封裝 | 6-TSOP |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
功率 - 最大 | 830mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
其他名稱 | SI3900DV-T1-GE3TR SI3900DVT1GE3 |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 33 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | - |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 4nC @ 4.5V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) | 20V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 2A |
基礎部件號 | SI3900 |