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標準封裝集成電路元件 C3M0280090D
VGS(TH)(最大)@標識 | 3.5V @ 1.2mA |
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Vgs(最大) | +18V, -8V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
供應商設備封裝 | TO-247-3 |
系列 | C3M™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
功率耗散(最大) | 54W (Tc) |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | TO-247-3 |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 26 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 150pF @ 600V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 9.5nC @ 15V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 15V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 900V |
詳細說明 | N-Channel 900V 11.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 11.5A (Tc) |