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標準封裝集成電路元件 C3M0065100K
VGS(TH)(最大)@標識 | 3.5V @ 5mA |
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Vgs(最大) | +19V, -8V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
供應商設備封裝 | TO-247-4L |
系列 | C3M™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 78 mOhm @ 20A, 15V |
功率耗散(最大) | 113.5W (Tc) |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | TO-247-4 |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
濕度敏感度等級(MSL) | Not Applicable |
製造商標準交貨期 | 26 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 660pF @ 600V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 35nC @ 15V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 15V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 1000V |
詳細說明 | N-Channel 1000V 35A (Tc) 113.5W (Tc) TO-247-4L |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 35A (Tc) |