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標準封裝集成電路元件 EPC2815
電壓 - 測試 | 1200pF @ 20V |
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電壓 - 擊穿 | Die |
VGS(TH)(最大)@標識 | 4 mOhm @ 33A, 5V |
Vgs(最大) | 5V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
系列 | eGaN® |
RoHS狀態 | Cut Tape (CT) |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 33A (Ta) |
極化 | Die |
其他名稱 | 917-1036-1 |
工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號 | EPC2815 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 11.6nC @ 5V |
IGBT類型 | +6V, -5V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 2.5V @ 9mA |
FET特點 | N-Channel |
展開說明 | N-Channel 40V 33A (Ta) Surface Mount Die |
漏極至源極電壓(Vdss) | - |
描述 | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 40V |
電容比 | - |