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標準封裝集成電路元件 2SD16400R
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 100V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 1.5V @ 1mA, 1A |
晶體管類型 | NPN - Darlington |
供應商設備封裝 | TO-126B-A1 |
系列 | - |
功率 - 最大 | 1.2W |
封装 | Bulk |
封裝/箱體 | TO-225AA, TO-126-3 |
工作溫度 | 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | - |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 1.2W Through Hole TO-126B-A1 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 8000 @ 1A, 10V |
電流 - 集電極截止(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 2A |