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標準封裝集成電路元件 SIZ342DT-T1-GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.4V @ 250µA |
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供應商設備封裝 | 8-Power33 (3x3) |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 11.5 mOhm @ 14A, 10V |
功率 - 最大 | 3.6W, 4.3W |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | 8-PowerWDFN |
其他名稱 | SIZ342DT-T1-GE3TR |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 32 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 650pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 20nC @ 10V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點 | - |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3) |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 15.7A (Ta), 100A (Tc) |