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標準封裝集成電路元件 KSD1616ALTA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 60V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 50mA, 1A |
晶體管類型 | NPN |
供應商設備封裝 | TO-92-3 |
系列 | - |
功率 - 最大 | 750mW |
封装 | Tape & Box (TB) |
封裝/箱體 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
其他名稱 | KSD1616ALTA-ND KSD1616ALTATB |
工作溫度 | 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 2 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | 160MHz |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 160MHz 750mW Through Hole TO-92-3 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 300 @ 100mA, 2V |
電流 - 集電極截止(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 1A |
基礎部件號 | KSD1616 |