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標準封裝集成電路元件 IPD60R800CEATMA1
VGS(TH)(最大)@標識 | 3.5V @ 170µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | TO-252-3 |
系列 | CoolMOS™ CE |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 800 mOhm @ 2A, 10V |
功率耗散(最大) | 48W (Tc) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱 | IPD60R800CEATMA1TR SP001276028 |
工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 3 (168 Hours) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 373pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 17.2nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 600V |
詳細說明 | N-Channel 600V 5.6A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount TO-252-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 5.6A (Tc) |