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標準封裝集成電路元件 SIDR668DP-T1-GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 3.4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | PowerPAK® SO-8DC |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
功率耗散(最大) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | PowerPAK® SO-8 |
其他名稱 | SIDR668DP-T1-GE3TR |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 32 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 5400pF @ 50V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 108nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 7.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 100V |
詳細說明 | N-Channel 100V 23.2A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 23.2A (Ta), 95A (Tc) |