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標準封裝集成電路元件 RN2111CT(TPL3)
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 20V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 150mV @ 250µA, 5mA |
晶體管類型 | PNP - Pre-Biased |
供應商設備封裝 | CST3 |
系列 | - |
電阻器 - 基座(R1) | 10 kOhms |
功率 - 最大 | 50mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | SC-101, SOT-883 |
其他名稱 | RN2111CT(TPL3)TR |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
詳細說明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 300 @ 1mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 50mA |