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標準封裝集成電路元件 EMD12FHAT2R
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | - |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 500µA, 10mA |
晶體管類型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
供應商設備封裝 | EMT6 |
系列 | Automotive, AEC-Q101 |
電阻器 - 發射器底座(R2) | 47 kOhms |
電阻器 - 基座(R1) | 47 kOhms |
功率 - 最大 | 150mW |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | SOT-563, SOT-666 |
其他名稱 | EMD12FHAT2RCT |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 7 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | 250MHz |
詳細說明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 68 @ 5mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大) | - |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 100mA |