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標準封裝集成電路元件 MJD31C1
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 100V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 1.2V @ 375mA, 3A |
晶體管類型 | NPN |
供應商設備封裝 | I-PAK |
系列 | - |
功率 - 最大 | 1.56W |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
工作溫度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Contains lead / RoHS non-compliant |
頻率 - 轉換 | 3MHz |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole I-PAK |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 10 @ 3A, 4V |
電流 - 集電極截止(最大) | 50µA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 3A |
基礎部件號 | MJD31 |