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標準封裝集成電路元件 NSV40302PDR2G
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 40V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 115mV @ 200mA, 2A |
晶體管類型 | NPN, PNP |
供應商設備封裝 | 8-SOIC |
系列 | - |
功率 - 最大 | 653mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱 | NSV40302PDR2G-ND NSV40302PDR2GOSTR |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 6 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | 100MHz |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 180 @ 1A, 2V |
電流 - 集電極截止(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 3A |