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標準封裝集成電路元件 SI2304DS,215
VGS(TH)(最大)@標識 | 2V @ 1mA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | TO-236AB (SOT23) |
系列 | TrenchMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 117 mOhm @ 500mA, 10V |
功率耗散(最大) | 830mW (Tc) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱 | 568-5957-2 934056633215 SI2304DS T/R SI2304DS T/R-ND SI2304DS,215-ND |
工作溫度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 195pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 4.6nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
詳細說明 | N-Channel 30V 1.7A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 1.7A (Tc) |