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標準封裝集成電路元件 SI1958DH-T1-E3
VGS(TH)(最大)@標識 | 1.6V @ 250µA |
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供應商設備封裝 | SC-70-6 (SOT-363) |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 205 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
功率 - 最大 | 1.25W |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
其他名稱 | SI1958DH-T1-E3TR SI1958DHT1E3 |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 105pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 3.8nC @ 10V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) | 20V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 1.3A |
基礎部件號 | SI1958 |