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標準封裝集成電路元件 EPC2016
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.5V @ 3mA |
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Vgs(最大) | +6V, -5V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
供應商設備封裝 | Die |
系列 | eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 16 mOhm @ 11A, 5V |
功率耗散(最大) | - |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | Die |
其他名稱 | 917-1027-2 |
工作溫度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 520pF @ 50V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 5.2nC @ 5V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 5V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 100V |
詳細說明 | N-Channel 100V 11A (Ta) Surface Mount Die |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 11A (Ta) |