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標準封裝集成電路元件 IRF7759L2TR1PBF
VGS(TH)(最大)@標識 | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | DIRECTFET L8 |
系列 | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 2.3 mOhm @ 96A, 10V |
功率耗散(最大) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | DirectFET™ Isometric L8 |
其他名稱 | IRF7759L2TR1PBFCT |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 12222pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 300nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 75V |
詳細說明 | N-Channel 75V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 26A (Ta), 375A (Tc) |