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標準封裝集成電路元件 QS8J11TCR
VGS(TH)(最大)@標識 | 1V @ 1mA |
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供應商設備封裝 | TSMT8 |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
功率 - 最大 | 550mW |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | 8-SMD, Flat Lead |
其他名稱 | QS8J11TCRCT |
工作溫度 | 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 2600pF @ 6V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 22nC @ 4.5V |
FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
FET特點 | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
漏極至源極電壓(Vdss) | 12V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 3.5A 550mW Surface Mount TSMT8 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 3.5A |