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標準封裝集成電路元件 IRL6372TRPBF
VGS(TH)(最大)@標識 | 1.1V @ 10µA |
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供應商設備封裝 | 8-SO |
系列 | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V |
功率 - 最大 | 2W |
封装 | Original-Reel® |
封裝/箱體 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱 | IRL6372TRPBFDKR |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 1020pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 11nC @ 4.5V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特點 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 8.1A |
基礎部件號 | IRL6372PBF |