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標準封裝集成電路元件 TP65H035WS
VGS(TH)(最大)@標識 | 4.8V @ 700µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
供應商設備封裝 | TO-247-3 |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 41 mOhm @ 30A, 8V |
功率耗散(最大) | 156W (Tc) |
封裝/箱體 | TO-247-3 |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 3 (168 Hours) |
製造商標準交貨期 | 15 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 1500pF @ 400V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 36nC @ 8V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 8V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 650V |
詳細說明 | N-Channel 650V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 46.5A (Tc) |