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標準封裝集成電路元件 CSD13302W
VGS(TH)(最大)@標識 | 1.3V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | 4-DSBGA |
系列 | NexFET™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V |
功率耗散(最大) | 1.8W (Ta) |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | 4-UFBGA, DSBGA |
其他名稱 | 296-48118-1 |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 35 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 862pF @ 6V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 2.5V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 12V |
詳細說明 | N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 1.6A (Ta) |