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標準封裝集成電路元件 NJW44H11G
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 80V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 1V @ 400mA, 8A |
晶體管類型 | NPN |
供應商設備封裝 | TO-3P-3L |
系列 | - |
功率 - 最大 | 120W |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | TO-3P-3, SC-65-3 |
其他名稱 | NJW44H11G-ND NJW44H11GOS |
工作溫度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 4 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換 | 85MHz |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 85MHz 120W Through Hole TO-3P-3L |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 80 @ 4A, 2V |
電流 - 集電極截止(最大) | 10µA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 10A |