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標準封裝集成電路元件 EPC8002ENGR
電壓 - 測試 | 21pF @ 32.5V |
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電壓 - 擊穿 | Die |
VGS(TH)(最大)@標識 | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
系列 | eGaN® |
RoHS狀態 | Tray |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 2A (Ta) |
極化 | Die |
其他名稱 | 917-EPC8002ENGR EPC8002ENGI |
工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號 | EPC8002ENGR |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 0.14nC @ 5V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 2.5V @ 250µA |
FET特點 | N-Channel |
展開說明 | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
漏極至源極電壓(Vdss) | - |
描述 | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 65V |
電容比 | - |