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標準封裝集成電路元件 SI6562CDQ-T1-GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 1.5V @ 250µA |
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供應商設備封裝 | 8-TSSOP |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
功率 - 最大 | 1.6W, 1.7W |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
其他名稱 | SI6562CDQ-T1-GE3CT |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 850pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 23nC @ 10V |
FET型 | N and P-Channel |
FET特點 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) | 20V |
詳細說明 | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 6.7A, 6.1A |
基礎部件號 | SI6562 |