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標準封裝集成電路元件 VT6J1T2CR
VGS(TH)(最大)@標識 | 1V @ 100µA |
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供應商設備封裝 | VMT6 |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V |
功率 - 最大 | 120mW |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | 6-SMD, Flat Leads |
其他名稱 | VT6J1T2CRCT |
工作溫度 | 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 17 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 15pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | - |
FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
FET特點 | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
漏極至源極電壓(Vdss) | 20V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 100mA |