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標準封裝集成電路元件 BSC046N02KS G
電壓 - 測試 | 4100pF @ 10V |
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電壓 - 擊穿 | PG-TDSON-8 |
VGS(TH)(最大)@標識 | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
Vgs(最大) | 2.5V, 4.5V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
系列 | OptiMOS™ |
RoHS狀態 | Tape & Reel (TR) |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 19A (Ta), 80A (Tc) |
極化 | 8-PowerTDFN |
其他名稱 | BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GTR BSC046N02KSG BSC046N02KSGAUMA1 SP000379666 |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL) | 3 (168 Hours) |
製造商標準交貨期 | 16 Weeks |
製造商零件編號 | BSC046N02KS G |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 27.6nC @ 4.5V |
IGBT類型 | ±12V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 1.2V @ 110µA |
FET特點 | N-Channel |
展開說明 | N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
漏極至源極電壓(Vdss) | - |
描述 | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 20V |
電容比 | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |