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標準封裝集成電路元件 APT40GP60B2DQ2G
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 600V |
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的VCE(on)(最大)@ VGE,IC | 2.7V @ 15V, 40A |
測試條件 | 400V, 40A, 5 Ohm, 15V |
Td(開/關)@ 25°C | 20ns/64ns |
開關能量 | 385µJ (on), 350µJ (off) |
系列 | POWER MOS 7® |
功率 - 最大 | 543W |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | TO-247-3 Variant |
其他名稱 | APT40GP60B2DQ2GMP APT40GP60B2DQ2GMP-ND |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入類型 | Standard |
IGBT類型 | PT |
柵極電荷 | 135nC |
詳細說明 | IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole |
電流 - 集電極脈衝(ICM) | 160A |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 100A |