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標準封裝集成電路元件 SG2013J-883B
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 50V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC | 1.9V @ 600µA, 500mA |
晶體管類型 | 7 NPN Darlington |
供應商設備封裝 | 16-CDIP |
系列 | - |
功率 - 最大 | - |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | - |
其他名稱 | 1259-1108 1259-1108-MIL |
工作溫度 | 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Contains lead / RoHS non-compliant |
頻率 - 轉換 | - |
詳細說明 | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 900 @ 500mA, 2V |
電流 - 集電極截止(最大) | - |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 600mA |