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標準封裝集成電路元件 MB85R256GPF-G-BNDE1
寫週期時間 - 字,頁 | 150ns |
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電壓 - 電源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
技術 | FRAM (Ferroelectric RAM) |
系列 | - |
工作溫度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
濕度敏感度等級(MSL) | 3 (168 Hours) |
內存類型 | Non-Volatile |
內存大小 | 256Kb (32K x 8) |
內存接口 | Parallel |
內存格式 | FRAM |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
詳細說明 | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns |
訪問時間 | 150ns |