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標準封裝集成電路元件 TPD3215M
VGS(TH)(最大)@標識 | - |
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供應商設備封裝 | Module |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 34 mOhm @ 30A, 8V |
功率 - 最大 | 470W |
封装 | Bulk |
封裝/箱體 | Module |
其他名稱 | TPH3215M TPH3215M-ND |
工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 2260pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 28nC @ 8V |
FET型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特點 | GaNFET (Gallium Nitride) |
漏極至源極電壓(Vdss) | 600V |
詳細說明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 70A (Tc) |