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標準封裝集成電路元件 PSMN1R0-25YLDX
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.2V @ 1mA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | LFPAK56, Power-SO8 |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 0.89 mOhm @ 25A, 10V |
功率耗散(最大) | 160W (Tc) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
其他名稱 | 1727-2495-2 568-12927-2 568-12927-2-ND 934069908115 |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 5308pF @ 12V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 71.8nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | Schottky Diode (Body) |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 25V |
詳細說明 | N-Channel 25V 100A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 100A (Tc) |