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標準封裝集成電路元件 2N7635-GA
VGS(TH)(最大)@標識 | - |
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Vgs(最大) | - |
技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
供應商設備封裝 | TO-257 |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 415 mOhm @ 4A |
功率耗散(最大) | 47W (Tc) |
封装 | Bulk |
封裝/箱體 | TO-257-3 |
其他名稱 | 1242-1146 |
工作溫度 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Contains lead / RoHS non-compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 324pF @ 35V |
FET型 | - |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | - |
漏極至源極電壓(Vdss) | 650V |
詳細說明 | 650V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 4A (Tc) (165°C) |