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標準封裝集成電路元件 VQ1001P-E3
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.5V @ 1mA |
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供應商設備封裝 | 14-DIP |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V |
功率 - 最大 | 2W |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | - |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 110pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | - |
FET型 | 4 N-Channel |
FET特點 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
詳細說明 | Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 830mA |