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標準封裝集成電路元件 GT60N321(Q)
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 1000V |
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的VCE(on)(最大)@ VGE,IC | 2.8V @ 15V, 60A |
測試條件 | - |
Td(開/關)@ 25°C | 330ns/700ns |
開關能量 | - |
供應商設備封裝 | TO-3P(LH) |
系列 | - |
反向恢復時間(trr) | 2.5µs |
功率 - 最大 | 170W |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | TO-3PL |
工作溫度 | 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入類型 | Standard |
IGBT類型 | - |
詳細說明 | IGBT 1000V 60A 170W Through Hole TO-3P(LH) |
電流 - 集電極脈衝(ICM) | 120A |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 60A |
基礎部件號 | GT60 |