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標準封裝集成電路元件 IRF7809PBF
VGS(TH)(最大)@標識 | 1V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | 8-SO |
系列 | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | - |
功率耗散(最大) | - |
封装 | Tube |
封裝/箱體 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 28V |
詳細說明 | N-Channel 28V 14.5A (Ta) Surface Mount 8-SO |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 14.5A (Ta) |