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標準封裝集成電路元件 MG1275S-BA1MM
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 1200V |
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的VCE(on)(最大)@ VGE,IC | 1.8V @ 15V, 75A (Typ) |
供應商設備封裝 | S3 |
系列 | - |
功率 - 最大 | 630W |
封裝/箱體 | S-3 Module |
其他名稱 | F6495 |
工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
NTC熱敏電阻 | No |
安裝類型 | Chassis Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期 | 10 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(連鎖商店)@的Vce | 5.52nF @ 25V |
輸入 | Standard |
IGBT類型 | - |
詳細說明 | IGBT Module Half Bridge 1200V 105A 630W Chassis Mount S3 |
電流 - 集電極截止(最大) | 500µA |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 105A |
組態 | Half Bridge |