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標準封裝集成電路元件 JAN2N6766
VGS(TH)(最大)@標識 | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | TO-3 |
系列 | Military, MIL-PRF-19500/543 |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 90 mOhm @ 30A, 10V |
功率耗散(最大) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
封装 | Bulk |
封裝/箱體 | TO-204AE |
其他名稱 | JAN2N6766-MIL |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Contains lead / RoHS non-compliant |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 115nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 200V |
詳細說明 | N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 30A (Tc) |