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標準封裝集成電路元件 HN3C10FUTE85LF
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大) | 12V |
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晶體管類型 | 2 NPN (Dual) |
供應商設備封裝 | US6 |
系列 | - |
功率 - 最大 | 200mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
其他名稱 | HN3C10FU(TE85L,F) HN3C10FUTE85LFTR |
工作溫度 | - |
噪聲係數(dB典型值@頻率) | 1.1dB @ 1GHz |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
獲得 | 11.5dB |
頻率 - 轉換 | 7GHz |
詳細說明 | RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 80 @ 20mA, 10V |
電流 - 集電極(Ic)(最大) | 80mA |