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標準封裝集成電路元件 SI4114DY-T1-GE3
VGS(TH)(最大)@標識 | 2.1V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | 8-SO |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 6 mOhm @ 10A, 10V |
功率耗散(最大) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) |
封装 | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱 | SI4114DY-T1-GE3CT |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds | 3700pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 95nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 20V |
詳細說明 | N-Channel 20V 20A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO |
電流 - 25°C連續排水(Id) | 20A (Tc) |