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標準封裝集成電路元件 SI8439DB-T1-E1
VGS(TH)(最大)@標識 | 800mV @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±5V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝 | 4-Microfoot |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓 | 25 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
功率耗散(最大) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
封装 | Original-Reel® |
封裝/箱體 | 4-UFBGA |
其他名稱 | SI8439DB-T1-E1DKR |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL) | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態 | Lead free / RoHS Compliant |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs | 50nC @ 4.5V |
FET型 | P-Channel |
FET特點 | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開) | 1.2V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss) | 8V |
詳細說明 | P-Channel 8V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
電流 - 25°C連續排水(Id) | - |